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碳化硅粉的制備工藝與質量控制

更新時間:2025-09-11 10:27:03 關注:153


  碳化硅粉的制備工藝與質量控制
  碳化硅粉的制備需經過多道工序,工藝選擇直接影響其純度、粒徑與性能。主流制備方法為“合成-研磨-提純”三步法:首先以石英砂與焦炭為原料,在1600-2200℃電弧爐中合成碳化硅晶體;隨后通過機械研磨(如球磨、氣流磨)將晶體破碎成粉末,氣流磨可精準控制粒徑,產出粒徑1-10微米的細粉;最后通過酸洗、堿洗去除雜質(如鐵、硅氧化物),再經烘干、分級,得到合格產品。
  質量控制是碳化硅粉生產的核心。純度方面,需通過ICP-MS檢測雜質含量,電子級碳化硅粉要求金屬雜質低于1ppm;粒徑分布需用激光粒度儀監(jiān)測,確保粒徑偏差控制在±5%以內,避免影響后續(xù)成型工藝;顆粒形貌也需管控,球形度高的碳化硅粉流動性更好,更適合陶瓷注射成型。
  不同領域對碳化硅粉指標要求差異大:磨料用粉側重硬度與粒徑均勻性,電子用粉則需極高純度與細粒徑。完善的制備工藝與嚴格的質量檢測,是保障碳化硅粉適配各行業(yè)需求的關鍵,也是推動其向高端應用突破的基礎。

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